瞬态CZ法硅晶体生长晶形的二维模拟

瞬态CZ法硅晶体生长晶形的二维模拟

A.Sabanskis a， K.Bergfelds a， A.Muiznieks a， Th.Schröck b， A.Krauze a
a Faculty of Physics and Mathematics， University of Latvia， Zeļļu Street8，LV-1002，Riga，Latvia
b Siltronic AG，Hanns-Seidel-Platz4，D-81737München，Germany

    摘要：本文给出某CZ法单晶硅生长的非稳态轴对称模型。模型描述了晶体-熔体、熔体-气体、晶体-气体界面的瞬态行为，同时描述了通过改变晶体拉伸速度和加热器功率实现晶体直径的PID控制。为模拟晶形的明显变化，模型采用非结构化有限单元网格剖分晶体部分和熔体部分，并采用自动单元尺寸控制技术。加热器的温度变化通过一个简化的集成模型模拟。同时给出一个生长锥生长的数值模拟案例。

    关键词：计算机模拟，相界，热传导，CZ法，熔体生长