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瞬态CZ法硅晶体生长晶形的二维模拟

原文作者:
  
发布时间:
  2015-03-31
来    源:
  www.cntech.com
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瞬态CZ法硅晶体生长晶形的二维模拟

A.Sabanskis a, K.Bergfelds a, A.Muiznieks a, Th.Schröck b, A.Krauze a
a Faculty of Physics and Mathematics, University of Latvia, Zeļļu Street8,LV-1002,Riga,Latvia
b Siltronic AG,Hanns-Seidel-Platz4,D-81737München,Germany

    摘要:本文给出某CZ法单晶硅生长的非稳态轴对称模型。模型描述了晶体-熔体、熔体-气体、晶体-气体界面的瞬态行为,同时描述了通过改变晶体拉伸速度和加热器功率实现晶体直径的PID控制。为模拟晶形的明显变化,模型采用非结构化有限单元网格剖分晶体部分和熔体部分,并采用自动单元尺寸控制技术。加热器的温度变化通过一个简化的集成模型模拟。同时给出一个生长锥生长的数值模拟案例。

    关键词:计算机模拟,相界,热传导,CZ法,熔体生长