案例演示了基于FEMAG/CZ生长考虑磁场的300mm单晶硅的工艺过程，目标是模拟评估全局热场，优化加热系统，模拟晶体热应力等分布，最终改善热场和生长工艺，提高晶体质量。 FEMAG/CZ软件是专业化的CZ法晶体生长的模拟软件，也是2015年11月举办的IWMCG-8第八届国际生长模型化会议公认的求解性能和精度最好的晶体生长模拟软件。

单晶高温合金因其优异的高温抗疲劳、抗蠕变性能，在航空发动机叶片等高端装备制造领域中具有重要的应用。了解单晶高温合金的行业现状及其数值模拟应用，对于了解产品的市场动向以及提高产品的质量与研发效率具有现实的意义。

论文分析了在半导体行业中单晶硅生长的应用和研究现状，并综述了FEMAG数值模拟软件在单晶硅生长仿真中的应用，总结得出结论，利用专业化的晶体生长数值模拟软件FEMAG，可以全面地分析晶体生长工艺，在实际应用中能显著提高研发效率、降低产品开发周期

Czochralski (CZ) crystal growth of single crystallinesilicon (Si) is invariably accompanied by transport of impurities such ascarbon (C), oxygen (O), and related products from chemical reactions in th

本文给出某CZ法单晶硅生长的非稳态轴对称模型。模型描述了晶体-熔体、熔体-气体、晶体-气体界面的瞬态行为，同时描述了通过改变晶体拉伸速度和加热器功率实现晶体直径的PID控制

工业领域、科学领域和社会领域中许多剧变，要归因于于微电子工业的日新月异的发展。这一发展已影响到人们的日常生活，你只需看看各种手机和信用卡上的芯片就能意识到这点。微电子工业的原料，是高纯度的、具有几乎完美晶体结构的单晶硅。

超大规模集成电路的高速发展对单晶硅材料提出了愈来愈严格的要求，“大直径，无缺陷”成为目前单晶硅材料发展的趋势。

本文研究了不同拉晶速率对300 mm 硅外延片表面缺陷的影响，SP1( 表面激光颗粒扫描仪) 测试结果表明： 较低的拉晶速率下，外延片表面出现环状颗粒缺陷分布带；